檢索結果：共10筆資料 檢索策略： "Thin film".ekeyword (精準) and ckeyword.raw="薄膜太陽能電池"
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本研究成功地以真空濺鍍法及硒化退火製備硒化銅鋅錫(CZTSe)吸收層薄膜，並以三種不同的n型薄膜層製備出CZTSe薄膜太陽能電池。首先以銅-鋅-錫金屬靶材進行真空濺鍍CZT薄膜於鍍鉬的鈉玻璃基板上，…
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在本研究中，我們使用商用光學模擬軟體FRED並利用光線追跡 (Ray Tracing) 技術，模擬表面織構散射結構，探討不同參數的情況下的光學特性。首先討論不同的散射體直徑對於四種入射光波長550n…
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本研究使用超高頻電漿化學氣相沉積系統來製備微晶矽薄膜，同時利用放射光譜儀來觀測電漿中成分的變化，並將放射光譜儀的量測結果和薄膜的結構特性做比較。並藉由調整電漿功率、反應總壓、上下電極間距、氫氣稀釋比…
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本研究係以射頻矽甲烷電漿輔助化學氣相沉積系統，藉由調配適當的反應參數如基材溫度、反應壓力及甲烷摻雜比等，分別進行本質非晶矽及p型非晶碳化矽薄膜之沉積，並針對薄膜的結構及光電性質加以分析，以設計出非晶…
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本研究探討準分子雷射結晶化矽厚膜可行性，並以此膜製作薄膜太陽能電池。研究發現，雷射退火矽膜之最高厚度為700 nm，並出現完全溶化之碟狀結晶(Disc grain)。利用SLS法後可再室溫下產生7 …
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近年來，許多人嘗試將奈米或微米球作為表面織構散射體以增加薄膜太陽能電池的轉換效率，然而散射體的尺寸及折射率等參數對散射效果的影響還未被充分瞭解。在本研究中，我們使用光線追跡 (Ray Tracing…
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本研究係以射頻矽甲烷電漿輔助化學氣相沉積系統，藉由調配適當的反應參數反應壓力及三甲基硼(TMB)摻雜比等，分別進行本質非晶矽及p型非晶碳化矽薄膜之沉積，並針對薄膜的結構及光電性質加以分析，以探求非晶…
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本研究係用射頻電漿系統沉積氫化非晶矽薄膜，調變製程重要參數如氫氣稀釋比、基材溫度、工作壓力以及電極間距等，藉由傅立葉轉換紅外光光譜儀(FT-IR)以及紫外光/可見光光譜儀(UV-VIS)等分析方法，…
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本研究以三甲基硼(TMB)為摻雜物，使用射頻電漿輔助化學氣相沉積系統(RF-PECVD)於玻璃基材上成長p型非晶碳化矽以及p型微晶矽薄膜，並分析其結構及光電性質，期望能製備出適用於薄膜太陽能電池的p…
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本論文之研究方向主要分為四元CuIn1-xGaxSe2奈米材料之合成及電泳沉積製備CuIn1-xGaxSe2薄膜之兩個部分進行。首先，於材料合成之研究中，吾人成功建立以微波水熱法合成四元CuIn1-…